Circuito integrado CMOS.

Detalles Bibliográficos
Autores Corporativos:	Facultad de Ingenieria de Buenos Aires, Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica
Otros autores o Colaboradores:	Faigón, Adrián, García Inza, M., Carbonetto, S., Salaya. G., Martínez, I.
Formato:	Artículo
Lengua:	español
Datos de publicación:	Ciudad Autónoma de Buenos Aires : Facultad de Ingeniería.
Temas:	DISPOSITIVOS MOS MICROELECTRONICA SENSORES RADIACION AMPLIFICADORES CIRCUITOS DIGITALES PADS NANOINGENIERIA FACULTAD DE INGENIERIA CABA UBA
Acceso en línea:	http://www.fi.uba.ar/es/node/3311
Notas:	El chip de la foto, diseñado en FIUBA, contiene circuitos y estructuras para detectar radiación ionizante y fue fabricado en una tecnología de 600 mm. Transistor CMOS (Metal Óxido Semiconductor).
Descripción Física:	p. 22-23 : il.
ISSN:	2545-7691

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