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|
LEADER |
00000Cam#a22000003a#4500 |
001 |
INGC-MON-017690 |
003 |
AR-LpUFI |
005 |
20221019005442.0 |
008 |
110309s2004||||ag |||||||||||||||||spa d |
040 |
|
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|a AR-LpUFI
|b spa
|c AR-LpUFI
|
080 |
|
|
|a 621.38
|
100 |
1 |
|
|a Gonzalez, Mónica L.
|9 289717
|
245 |
1 |
0 |
|a Dispositivos electrónicos :
|b Vol. 1 /
|c Mónica L. Gonzalez.
|
260 |
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|
|a La Plata :
|b CEILP,
|c 2004.
|
300 |
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|a 198 p. :
|b diagr.
|
520 |
2 |
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|a Transistor bipolar de unión - Régimen estacionario - Zonas de funcionamiento. Características estáticas. Modelos equivalentes - El transistor bipolar real - Polarización del transistor bipolar - Disipación de potencia y especificaciones de un transistor bipolar - El transistor como amplificador - Modelo equivalente híbrido para el análisis en pequeña señal - El transistor bipolar en alta frecuencia. Modelo híbrido - El transistor bipolar en conmutación - Transistor de efecto de campo (FET) - Transistor de efecto de campo metal-semiconductor - El transistor MOSFET - Estructura básica de un transistor MOSFET - Transistor MOS complementario: CMOS - Apéndice.
|
650 |
|
4 |
|a DISPOSITIVOS ELECTRONICOS
|9 263908
|
929 |
|
|
|a 38300/38301 DON Ambrosi; 39075 DON Barragán; 40725 DON Nicola; 41096 DON Zudaire
|
942 |
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|c LIB
|6 _
|
999 |
|
|
|a GEB
|c 17687
|d 17687
|