Hall-effect instrumentation

Detalles Bibliográficos
Autor Principal: Kemp, Barron
Formato: Libro
Lengua:inglés
Datos de publicación: New York : Howard W. Sams, 1963.
Temas:
Descripción Física:128 p.

MARC

LEADER 00000cam#a22000003a#4500
001 INGC-MON-15762
003 AR-LpUFI
005 20221019005057.0
008 060510s1963 |||a fr||||| |0 0|eng d
080 |a 621.382 
100 0 |a Kemp, Barron.  |9 298586 
245 0 0 |a Hall-effect instrumentation 
260 |a New York :   |b Howard W. Sams,   |c 1963. 
300 |a 128 p. 
650 1 4 |a SEMICONDUCTORES  |9 265167 
650 1 4 |a EFECTO HALL  |9 298587 
650 1 4 |a CAMPO MAGNETICO  |9 265011 
929 |a 33468 DON Calisaya 
942 |c LIB  |6 _ 
959 |a MON 
960 |a 19611 
970 |a Registro convertido en forma automatizada 
990 |a LC 
999 |c 15760  |d 15760 
040 |a AR-LpUFI  |c AR-LpUFI